摘要
本发明公开了一种半导体发光器件,其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层,该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层、发光层和P型层。在衬底的下表面设置有一电极。在P型层的上表面设置有P型电极,其中,部分P型层被刻蚀到N型层,并设置有N型电极,同时在该区域N型层内设有一导电体,其一端与N型电极相连接,另一端与衬底电接触;该导电体由一柱状通孔及填充于通孔内的导电物质构成;该导电体还可延伸至衬底底部,并与衬底下表面的电极相连接。本发明能有效降低半导体发光器件的工作电压,及提高半导体发光器件的输出功率。另外,本发明还公开了一种半导体发光器件的制造方法。
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