基础阻抗、功率对ST-SF与TCQ导管射频消融损伤范围影响

作者：张洁; 陈哲慧; 张奇; 傅明; 孟云帆; 闫玉来; 王祖禄; 韩雅玲; 梁明^*

来源：临床军医杂志, 2023, 51(05): 488-498.

DOI：10.16680/j.1671-3826.2023.05.10

• 消融指数
• 损伤指数
• 基础阻抗
• 功率
• 损伤范围

目的 探讨在消融指数(AI)/损伤指数(LSI)的指导下，基础阻抗、功率对SmartTouchTM SurroundFlow(ST-SF)与TactiCathTM Quartz(TCQ)导管射频消融损伤范围的影响。方法 使用ST-SF与TCQ导管对新鲜离体猪心进行射频消融。消融参数设置：在AI 400/LSI 5指导下，固定功率40 W时，设置不同的基础阻抗消融(90Ω亚组、120Ω亚组、150Ω亚组、180Ω亚组、210Ω亚组);固定基础阻抗120Ω时，设置不同的功率消融(30 W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组)。消融完成后测量损伤范围，记录接触阻抗、消融时间。结果 固定功率40 W时，ST-SF导管消融各亚组的消融时间比较，差异无统计学意义(P>0.05)。固定功率40 W时，TCQ导管消融90Ω亚组、120Ω亚组、150Ω亚组消融损伤的最大宽度、最大深度比较，差异均无统计学意义(P>0.05);各亚组消融时间比较，差异均有统计学意义(P<0.05);90Ω亚组、120Ω亚组、150Ω亚组消融损伤的最大宽度、最大深度与180Ω亚组、210Ω比较，差异均有统计学意义(P<0.05)。ST-SF导管消融30 W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组消融损伤的最大宽度、最大深度及消融时间比较，差异均有统计学意义(P<0.05)。TCQ导管消融30 W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组消融损伤的最大宽度、最大深度及消融时间比较，差异均有统计学意义(P<0.05)。结论 在AI/LSI指导下，基础阻抗在一定范围内变化，TCQ导管消融损伤范围无明显改变，而ST-SF导管消融损伤范围随基础阻抗的升高而减小。对于两种导管，高功率消融比低功率消融的损伤更宽更浅。

• 单位
  中国医科大学