多层交替沉积后退火处理MgB_2超导薄膜上约瑟夫森结的制备

作者：邓辉; 戴倩; 于海峰; 魏彦锋; 王福仁; 任建坤; 崔丽敏; 吴玉林; 赵士平; 陈莺飞; 李洁; 郑东宁

来源：科学通报, 2012, (07): 498-505.

• 多层交替沉积后
• 退火
• MgB2
• 薄膜
• 聚焦离子束刻蚀
• 约瑟夫森结 multi-layer deposition and post annealing
• MgB2 thin film
• FIB
• Josephson junction

在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下...

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 襄樊学院; 中国科学院物理研究所; 北京大学; 物理学院