基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模

作者：汪流^*; 刘军; 陶洪琪; 孔月婵

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(04): 245-258.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.04.003

• 氮化镓鳍式晶体管
• ASM-高电子迁移率晶体管模型
• 器件建模

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模。在Keysight IC-CAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌。将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真。通过调节模型参数并用仿真的结果拟合测试曲线,该模型可以准确表征GaN FinFET器件的DC特性和S参数,证明了ASM-HEMT模型对非平面GaN器件的建模能力。模型的提取和验证采用栅长180 nm、栅宽152 nm、625个鳍、1个栅指的T-型栅GaN FinFET器件,应用此模型所得DC特性和S参数与测试结果拟合良好。

• 单位
  杭州电子科技大学