利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性

作者：王早; 张**; 李斌; 陈瑞云; 秦成兵; 肖连团; 贾锁堂

来源：Acta Physica Sinica, 2015, 64(24): 395-402.

• 单量子点
• 半导体纳米材料
• 荧光闪烁
• 荧光寿命

利用N型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO)作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性.实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指数截止的幂律特性,并与直接吸附在SiO2玻片上的单CdSe/ZnS量子点的荧光特性进行比较.研究发现处于ITO中的单量子点比SiO2玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级,掺杂于ITO中的单量子点的荧光寿命约减小为SiO2玻片上的单量子点的荧光寿命的41%,并且寿命分布宽度变小50%.

• 单位
  山西大学; 量子光学与光量子器件国家重点实验室