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摘要
声子辐射输运方程是一个微分-积分方程,使用有限差分法数值求解具有边界条件的声子辐射输运方程,可借助Gauss-Seidel方法和有限差分离散化来保证得到稳定的数值解.通过对室温下Ge/Si/Ge薄膜的声子热输运过程进行一维数值模拟,以及对界面处使用漫射失配界面模型,可以得到温度沿着薄膜法向方向的变化曲线和Ge/Si薄膜厚度比例与温度在界面处跳跃值对材料整体结构的热导率的影响,以及随着薄膜厚度的增加薄膜热导率的变化趋势;对硅薄膜声子热输运过程进行二维数值模拟,可以得到温度沿着薄膜法向和面向方向的分布情况,以及当薄膜宽度和厚度比例不同时温度的变化和法向热导率的变化.
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