ITO厚度对AlGaInP发光二极管特性的研究

作者：肖和平^*; 王晓彬

来源：真空科学与技术学报, 2020, 40(01): 7-11.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2020.01.02

• 氧化铟锡
• AlGaInP二极管
• 热稳定性
• 发光角度

采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射线光电子能谱分析氧化铟锡透明导电层中In、O元素化合态;研究了不同氧化铟锡透明导电层厚度对器件光电参数、热稳定性、发光角度的影响,结果表明随着氧化铟锡透明导电层厚度增加器件电压降低、发光亮度先增加后下降,热稳定性随厚度增加而变好,发光角度随厚度增加而减小。