摘要

基于实验样品,利用PICS3D模拟软件分析电子阻挡层对激光器性能的影响,尤其是对电光转换效率的影响。通过在上波导层和电子阻挡层之间插入一层AlGaN层,调整插入层和原始电子阻挡层的Al原子数分数和厚度,形成复合电子阻挡层,设计了一系列InGaN基紫色激光器,并模拟比较它们的电流-电压特性曲线、发光功率、电光转换效率、能带分布和载流子分布等特性。结果表明,采用插入层的Al原子数分数和厚度分别为0.30和15 nm、原始电子阻挡层的Al原子数分数和厚度为0.24~0.06和5 nm的新复合结构电子阻挡层,可以调整能带结构、抑制电子泄漏、增加空穴注入,从而提高辐射复合率、增大激光器电光转换效率。相较于参考结构,新结构的电光转换效率提升了36.9%。