科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明提供一种基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法,主要解决现有技术无法直接表征损伤机制并精确定位敏感区域的问题。其实现方案是：选择锗硅异质结晶体管样品,测试其电学性能；制作并检验用于辐照的印刷电路PCB测试板,并对锗硅异质结晶体管器件进行试验前的去封装处理；装配辐照平台；设置重离子微束辐照试验的测试条件；进行重离子微束辐照装置的出束位置定位；设置入射重离子的种类与能量；开展重离子微束辐照试验；记录并处理全部的试验数据,获得单粒子效应敏感区域。本发明能精确定位锗硅异质结晶体管单粒子效应敏感区域,提高了实验精度,降低测试成本,可用于针对微电子器件进行宇航抗辐射能力的评估。
- 单位
