14纳米及其以下的Finfet工艺概述和瓶颈分析

作者：李丽

来源：数码世界, 2019, (12): 99.

• 鳍式场效应管(Fin Field–Effect Transistor)
• 关键poly间距(CPP)
• 自校准双重曝光(SADP)
• 应力工程(stressengineer)
• 多重阈值电压(multiVt)

半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(Fin Field–Effect Transistor, FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip)的必然趋势,本文将介绍Finfet技术的发展现状以及其技术瓶颈。

• 单位
  无锡职业技术学院