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摘要
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R0A值高、少子寿命长等优点，是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件，对器件的响应率、NETD、暗电流及R0A等性能参数进行测试分析。测试结果表明，器件的有效像元率在99.78%～99.9%之间，器件的NETD均小于21 mK。实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备。
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单位昆明物理研究所
