一款DC～40 GHz六位数控衰减器芯片设计

作者：李光超; 周睿涛; 蒋乐; 张镇; 豆兴昆

来源：电子设计工程, 2022, 30(05): 175-179.

DOI：10.14022/j.issn1674-6236.2022.05.037

• 砷化镓
• 超宽带
• 低衰减附加相移
• 数控衰减器
• 数字驱动器

针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求，采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减器芯片。衰减器电路采用6个基本衰减单元级联结构，每个衰减单元采用合适的电路拓扑，通过合理优化后，实现了低插入损耗、高衰减精度、低衰减附加相移和小尺寸的目标。由芯片在片测试结果可知，插入损耗小于6.5 dB，输入输出电压驻波比小于1.8:1，均方根衰减精度（64态）小于0.8 dB，全态衰减附加相移小于±10°，静态功耗为3 mA@-5 V，芯片尺寸为2.08 mm×1.1 mm×0.1 mm。