碳基无掺杂纳电子器件和集成电路

作者:彭练矛; 张志勇; 李彦; 王燕
来源:中国科技成果, 2016, 17(14): 56-58.
DOI:10.3772/j.issn.1009-5659.2016.14.024

摘要

项目的提出是考虑到基于现有的硅基CMOS集成电路技术,摩尔定律将在10~15年达到极限,后摩尔时代的纳电子科学与技术的研究变得日趋急迫。微电子工业走到10纳米以下技术节点时可能不得不面临放弃继续使用硅材料作为晶体管导电沟道。在不多的几种可能的替代材料中,碳基纳米材料,特别是碳纳米管和石墨烯(或更严格地讲是单层或几层石墨片)被公认为是硅材料极有希望的替代材料之一。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会新材料和新器件委员会明确向半导体行业推荐重点研究碳基电子学(Carbon based electronics),作为可能在未来10~15年显现商业价值的下一代电子技术。

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