Ge-SiNx薄膜的结构与磁有序研究

作者：赵翠莲; 甄聪棉; 赵福伟

来源：低温物理学报, 2018, 40(04): 58-62.

DOI：10.13380/j.cnki.chin.j.lowtemp.phys.2018.04.010

• Ge-SiNx纳米薄膜
• 化学气相沉积
• 铁磁性

非磁性材料在低维度表现出铁磁性引起人们广泛关注.为实现Ge纳米结构在自旋电子器件中的应用,我们利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了Ge-SiNx纳米薄膜,对样品的结构和磁学性质进行了研究.厚度为16nm的样品经900℃退火后有Ge纳米晶的生成.对沉积态样品进行铁磁性测试,得到样品的饱和磁化强度为10emu/cm3,样品经900℃退火后饱和磁化强度增加到35emu/cm3,样品的居里温度高于400K.氮化硅作为包埋Ge纳米颗粒的基质材料,有效调节了Ge颗粒中载流子的限制势垒,增强了Ge纳米晶中自旋电子之间的磁耦合.

• 单位
  河北师范大学; 河北水利电力学院