科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。
-
单位应用光学国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院研究生院
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。
