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摘要
本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域,具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列,通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜,能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压,大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于,通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂,在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
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