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摘要
采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大 另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势 这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO薄膜结构发生了变化引起的。
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采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大 另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势 这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO薄膜结构发生了变化引起的。
