ESD保护器件GGNMOS的理论建模

作者：刘瑶; 姚若河; 罗宏伟; 李永坤

来源：中国电子学会可靠性分会, 中国,福建省,南平市,武夷山市.

• ESD保护器件
• GGNMOS
• 数值建模
• 电热效应
• 二次击穿

本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方法和电热耦合模拟),展望了关于二次击穿附近建模的研究方向.

• 单位
  华南理工大学