一种用于5G终端的毫米波收发器前端芯片的研制

作者：王美兰; 陈炎桂; 胡楠

来源：微波学报, 2020, 36(04): 86-94.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.202004018

• 砷化镓
• 微波单片集成电路
• 功率放大器
• 收发
• 第五代宽带无线移动通信系统

用0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片。其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结构,单刀双掷开关采用正电压控制的对称器件结构,低噪声放大器采用两级最佳噪声兼顾增益的拓扑结构。测试结果表明,24.25～27.5 GHz频带内,芯片发射支路饱和输出功率>22 dBm,附加效率>28%;芯片接收支路噪声系数<3.0 dB,线性增益>13 dB;芯片收发隔离度优于-20 dB。该芯片面积为2.2 mm×1.8 mm。