膜厚对超薄四面体非晶碳膜应力和结构的影响（英文）

作者：许世鹏; 李晓伟; 陈仁德; 李玉宏; 汪爱英^*

来源：硅酸盐学报, 2019, 47(01): 71-76.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.10

• 四面体非晶碳膜
• 膜厚
• 残余应力
• 薄膜结构

利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响。结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa。制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势,制备的超薄四面体非晶碳膜在较大区域内表面无大颗粒等物质。

• 单位
  中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 酒泉职业技术学院