ZnSe单晶生长及性能研究

作者：卢利平; 刘景和; 李建立; 万玉春; 张亮; 曾繁明

来源：人工晶体学报, 2005, (02): 215-218.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.02.005

• ZnSe单晶
• 物理气相输运法
• 高压坩埚下降法
• 透过率 ZnSe single crystal
• physical vapor transportation method
• high-pressure Bridgman method
• transmittance

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。

• 单位
  材料与化工学院; 长春理工大学