真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性

作者：张振军; 苗军; 王学强; 吴文斌; 杨沛; 郑晓泉

来源：高电压技术, 2014, 40(01): 117-123.

DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.2014.01.017

• 电子辐射
• 沿面闪络
• 电子能量
• 束流密度
• 降解
• 陷阱

为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5～20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低。

• 单位
  西安交通大学; 电力设备电气绝缘国家重点实验室