离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

作者：刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 谢正生; 吴惠桢

来源：功能材料, 2007, 38(08): 1257-1259+1264.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2007.08.012

• 垂直腔面发射激光器
• 离子注入
• 退火 VCSEL
• ion implantation
• thermal annealing

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院研究生院; 信息功能材料国家重点实验室