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摘要
随着磁铁电源的高频化,碳化硅(SiC)材料的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已经开始在加速器磁铁电源中使用,由此带来更严重的电磁干扰(EMI)问题。这里基于SiC MOSFET的磁铁电源,对其传导EMI特性进行了研究,主要研究了其干扰源和传导路径,找到了影响传导EMI的关键因素:开关频率和上升时间。此处的研究为SiC器件的磁铁电源从干扰源和传导路径上抑制传导EMI提供了理论和实验基础。
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随着磁铁电源的高频化,碳化硅(SiC)材料的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已经开始在加速器磁铁电源中使用,由此带来更严重的电磁干扰(EMI)问题。这里基于SiC MOSFET的磁铁电源,对其传导EMI特性进行了研究,主要研究了其干扰源和传导路径,找到了影响传导EMI的关键因素:开关频率和上升时间。此处的研究为SiC器件的磁铁电源从干扰源和传导路径上抑制传导EMI提供了理论和实验基础。
