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摘要
干法刻蚀工艺中，晶圆温度会直接影响刻蚀速率、刻蚀均匀性及刻蚀形貌，从而对最终的器件性能产生影响。对干法刻蚀过程中会对晶圆温度产生影响的若干因素进行了研究，并通过实验确认了不同因素对晶圆温度的影响趋势及范围，为工程应用提供一定参考。通过实验，确认了静电吸盘的夹持电压及氦压、射频源功率、下电极温度及晶圆本身都会对刻蚀过程中的晶圆温度产生一定影响，其中静电吸盘的夹持电压及氦压对晶圆温度影响最大，晶圆翘曲、下射频源功率次之，上射频源功率、下电极冷却温度对晶圆温度影响基本相当，影响程度最小。
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干法刻蚀工艺中，晶圆温度会直接影响刻蚀速率、刻蚀均匀性及刻蚀形貌，从而对最终的器件性能产生影响。对干法刻蚀过程中会对晶圆温度产生影响的若干因素进行了研究，并通过实验确认了不同因素对晶圆温度的影响趋势及范围，为工程应用提供一定参考。通过实验，确认了静电吸盘的夹持电压及氦压、射频源功率、下电极温度及晶圆本身都会对刻蚀过程中的晶圆温度产生一定影响，其中静电吸盘的夹持电压及氦压对晶圆温度影响最大，晶圆翘曲、下射频源功率次之，上射频源功率、下电极冷却温度对晶圆温度影响基本相当，影响程度最小。
