UV/UHV/CVD生长应变Si1-xGex层

作者：胡辉勇; 张鹤鸣; 戴显英; 李开成; 王伟; 朱永刚; 王顺祥; 崔晓英; 王喜媛

来源：半导体学报, 2005, (4): 641-644.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2005.04.002

• Si1-xGex
• 超高真空
• 紫外光
• 化学气相淀积

应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGx和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x-Gex/Si材料.

• 单位
  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 西安电子科技大学