用真空蒸镀法制备Al背场的研究

作者：乔琦; 季静佳; 张光春; 施正荣; 李果华

来源：太阳能学报, 2008, (5): 555-559.

DOI：10.3321/j.issn:0254-0096.2008.05.010

• 真空蒸镀
• Al背场
• SEM
• 开路电压

采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiNx)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场.用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响.实验结果表明,在真空度为5.0×10-3Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加.

• 单位
  江南大学; 无锡尚德太阳能电力有限公司