初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

作者：贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明

来源：发光学报, 2012, (06): 581-585.

• a-GaN
• 各向异性
• 拉曼散射光谱
• 残余应变 a-GaN
• anisotropic
• Raman spectroscopy
• strain

利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院研究生院; 发光学及应用国家重点实验室