三维阻变存储器的研究进展

作者：高代法; 王晓荃; 王悦; 尹家宇; 陈铖颖^*

来源：半导体技术, 2020, 45(03): 179-194.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.03.002

• 三维阻变存储器(3D-RRAM)
• 漏电流
• 热串扰
• 均一性
• 可靠性

在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRAM的发展现状,分析了现阶段三维RRAM面临的漏电流、热串扰、均一性、可靠性等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案,并对于RRAM未来的应用前景进行了分析和预测,认为其在替代传统存储器、神经网络计算、芯片加密防护等方面有重要的应用前景。

• 单位
  厦门理工学院