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摘要
研究了一种基于注入锁定技术的888 nm半导体激光器（LD）泵浦的高功率单频可调谐1 342 nm Nd:YVO4激光器。采用最大输出功率20 mW分布式反馈单频半导体1 342 nm激光器作为注入种子，利用lock-in （LI）技术，对LD端泵的Nd:YVO4环形腔激光器进行种子注入，实现了单频可调谐激光输出。激光器最大平均输出功率为13.9 W，测量的线宽为41 MHz，调谐范围为1 341.677 4～1 341.802 5 nm。x轴和y轴的光束质量M2因子分别为Mx2=1.30和My2=1.23。实验结果表明：与先前文献报道的注入锁定1 342 nm可调谐激光的结果相比，所需种子功率大幅减小，输出功率也有所提升。
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