δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

作者：王科范; 王珊; 谷城

来源：人工晶体学报, 2014, 43(12): 3151-3156.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.12.030

• InAs/GaAs量子点
• 太阳电池
• δ掺杂Si
• 分子束外延

在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4%提高到73.2%,短路电流从26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7%提升到17.26%。

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 物理与电子学院; 河南大学