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摘要
在裂片工艺是LED芯片制程中的重要环节,劈裂的好坏不仅对制程良率有很大影响,同时也会对晶粒的光电性产生较大影响。本文针对4英寸Ga N基底的小尺寸芯片,分析了劈裂不良对芯片光电性的影响,并提出了一种有效提升产品劈裂良率的裂片方法,从而保证产品的可靠性。
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在裂片工艺是LED芯片制程中的重要环节,劈裂的好坏不仅对制程良率有很大影响,同时也会对晶粒的光电性产生较大影响。本文针对4英寸Ga N基底的小尺寸芯片,分析了劈裂不良对芯片光电性的影响,并提出了一种有效提升产品劈裂良率的裂片方法,从而保证产品的可靠性。
