一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器

作者：黄正峰; 姚慧杰; 李先东; 王敏

来源：合肥工业大学学报(自然科学版), 2019, 42(12): 1649-1654.

• 软错误
• 单节点翻转(SNU)
• 双节点翻转(DNU)
• 高阻态
• 异构输入反相器

随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器(HLDRL),当受到单粒子效应影响时,具有单节点翻转(single node upset,SNU)和双节点翻转(double node upsets,DNU)的自恢复能力。该锁存器由18个异构输入反相器组成,仿真实验结果显示该锁存器具有优良的容错性能,可以实现DNU的完全自恢复,而且对高阻态不敏感。与其他容忍DNU的锁存器相比,该锁存器具有较小的开销,延迟和功耗延迟积分别减小了46.83%和45.85%。

• 单位
  合肥工业大学