本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱,该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱,生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱。本实用新型的制备方法具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,且制备的InGaN/GaN多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好,电学、光学性能好。
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