ICL7667实现步进电机高频斩波控制

作者：王永成; 党源源; 徐抒岩; 韩诚山; 于涛

来源：光学精密工程, 2009, 16(11).

DOI：10.3321/j.issn:1004-924X.2008.11.025

• ICL7667
• 功率MOSFET
• 步进电机
• MOSFET驱动器
• 开关特性

为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制.对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOSFET的开关速度,提出了提高功率MOSFET开关速度的方法.最后,采用ICL7667作为功宰MOSFET的驱动器实现了步进电机的高频斩波控制.仿真和试验结果表明:采用ICL7667的驱动电路,可以保证斩波频率为200 kHz时,功率MOSFET的漏极输出仍处于截止和深度饱和的状态,这比采用电阻分压式驱动电路其斩波频率最大为20 kHz提高了 10倍,可保证小内阻步进电机在高速斩波信号的控制下正确运行.

• 单位
  长春工业大学; 中国科学院; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所