摘要

设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO2-SiNx体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真,确定了SiO2-SiNx体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO2-SiNx体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势,最后制备了不同厚度SiO2-SiNx光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试,验证了SiO2-SiNx体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。