泡沫镍衬底上生长二氧化锡纳米线的生长行为及光致发光性能研究

作者：孙阳硕; 王红波^*; 周亮^*; 马大衍; 马飞

来源：人工晶体学报, 2019, 48(02): 339-343.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.02.027

• SnO2纳米线
• 生长温度
• 生长行为
• 泡沫镍

采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米线生长行为的影响,采用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了样品的元素结合态,采用荧光光谱仪研究了样品的室温光致发光(PL)性能。结果证明,生长温度对SnO2纳米线形貌、尺寸、密度等形态学特征影响显著。在750℃下,SnO2为颗粒状; 800℃生成了较高密度的SnO2纳米线,且随温度升高纳米线产量增加、直径显著增大;在850℃下其直径增大至微米级。对室温光致发光性能的研究发现,随生长温度升高,在SnO2产量增加和氧缺陷浓度的提高的共同作用下,导致其发光性能随之显著提高。

• 单位
  西安交通大学; 长安大学; 金属材料强度国家重点实验室