摘要
为探究高熵碳化物陶瓷作为耐磨部件在摩擦学领域中的应用前景,以金属碳化物为原料,通过高能球磨和两步热压烧结法制备了一种元素分布均匀、无偏聚和偏析的高熵(Ti VTaMoW)C 陶瓷。研究了(Ti VTaMoW)C 与 Al2O3、Si C 和 Si3N43 种配副材料在室温及 800 ℃条件下的摩擦磨损特性。结果表明:室温条件下,(Ti VTa Mo W)C 与 3 种配副对摩均表现出优异的摩擦学性能,尤其与 Si C 对摩具有最低的摩擦系数和磨损率,分别可低至(0.38±0.01)和(1.52±0.36)×10–7 mm3/(N·m)。800 ℃条件下,(Ti VTa Mo W)C 表面氧化严重,磨损明显加剧,磨损率上升至 10–4 mm3/(N·m)数量级。高温氧化生成的 Mo O3和 V2O5具有较低剪切强度,摩擦过程转移至配副球接触面上形成转移膜,有效保护了配副材料的磨损。综合比较,Si C 作为配副在室温和 800 ℃条件下均表现出更优异的摩擦相容性。
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单位中国科学院大学; 固体润滑国家重点实验室; 中国科学院兰州化学物理研究所