晶体硅太阳能电池连续流等离子体强化表面掺杂技术的研究

作者：赵俊霞

来源：集成电路应用, 2021, 38(07): 37-39.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.07.010

• 晶体硅电池
• 等离子体
• 表面掺杂

针对业界常用的热扩散工艺产生"死层"的现象,提出连续流等离子体强化表面掺杂技术,根据新技术制备的晶体硅太阳能电池片没有富硼层(Boron rich layer)而且Si-SiO2界面具有良好的原子平整度、无晶格缺陷,具有高效、可控、稳定的电池性能(平均转化效率达22%,最高转化效率达23%)。

• 单位
  三江学院