AgBr/g-C3N4复合光催化剂制备及其可见光催化性能

作者：徐泽忠; 高雅; 黄有鹏; 谢劲松; 韩成良

来源：环境科学与技术, 2022, 45(06): 64-69.

DOI：10.19672/j.cnki.1003-6504.2680.21.338

• AgBr/g-C3N4
• 光催化降解
• 电荷转移机制
• Z型异质结
• 有机染料

文章采用溶剂热法合成不同形貌和结构的g-C3N4半导体，超声法将AgBr原位沉淀在g-C3N4表面，成功制备出不同质量比AgBr/g-C3N4复合光催化剂。借助FE-SEM、BET、TGA、XRD、UV-Vis DRS等方法对制备样品的晶体结构、形貌、比表面积、热稳定性以及其光学性能进行了表征。结果表明：g-C3N4半导体呈现纳米管状结构，直径约为300 nm，管长约为800 nm;AgBr/g-C3N4-20%复合光催化剂比表面积可达为40.727 m2/g，孔体积0.110 cm3/g，孔半径为17.171 nm。以罗丹明B (RhB)为模拟污染物，考察光催化降解性能,结果表明AgBr/g-C3N4质量比为20%时，可见光催化80 min后，RhB降解率可达到97.4%。光催化机理研究表明，空穴(h+)是光催化降解RhB的主要活性物种，其次为超氧自由基(·O)2-)与羟基自由基(·OH)，根据能带理论推测AgBr/g-C3N4符合Z型电荷转移机制。

• 单位
  材料与化工学院; 合肥学院