增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

作者：毛维; 高北鸾; 马佩军; 杜鸣; 张春福; 张金风; 周弘; 刘志宏; 张进成; 郝跃

来源：2020-07-28, 中国, ZL202010735924.1.

本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法,主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题,其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱(7)、栅柱(9)、源极(11)、台面(14)、栅极(15)和钝化层(16)。栅柱内部设有N型排柱(8)；栅柱左侧的势垒层内与P型漏柱右侧的势垒层内均设有阵列孔(10)；P型漏柱右侧设有欧姆接触(12),P型漏柱与欧姆接触共同组成漏极(13)；钝化层上部设有复合板(17)；钝化层和复合板的外围设有保护层(18)。本发明工艺简单、正向阻断与反向阻断好,阈值电压高,可作为开关器件。

• 单位
  西安电子科技大学