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摘要
基于MOSFET的串联谐振双有源桥（DAB）变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通（ZVS）和零电流关断（ZCS），具有效率高的优点，被广泛应用于电力电子变压器（PET）隔离DC-DC环节。然而，在采用隔离变压器的DAB中，由于MOSFET寄生电容的存在，在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡，增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路，分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡，提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
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