一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计

作者：李炜峰; 王欣; 王谞芃; 汪洋^*; 杨红姣

来源：电子产品世界, 2021, 28(07): 79-86.

• 非对称可控硅
• 维持电压
• ESD
• 闩锁效应

非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18～60 V的芯片信号端口的静电保护。