一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

作者：齐贺飞; 王磊; 王鑫; 王绍权; 张梦月

来源：现代信息科技, 2022, 6(12): 52-55.

DOI：10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.012.013

• 压控振荡器
• 可变电容
• 相位噪声

基于标准CMOS工艺，设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器，该芯片的中心频率2.8 GHz，芯片面积0.5×0.5 mm2，典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明，在0.8 V～2.5 V的电压调节范围内，压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz ～3.3 GHz，通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽，在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz，压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所