含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长

作者：徐义库; **丹; 宋绪丁; 于金丽; 肖君霞; 郝建民; 刘林; 张军; LSER Wolfgang

来源：材料热处理学报, 2016, 37(03): 1-5.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2016.03.001

• 悬浮区熔
• 单晶生长
• 稀土化合物
• 胞状组织

新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 长安大学; 西北工业大学