经氮氟复合注入的绝缘体上硅材料埋氧层的总剂量辐射响应（英文）

作者：郑中山; 宁瑾; 张百强; 刘忠立; 罗家俊; 韩郑生

来源：Science China-Materials, 2016, 59(08): 657-664.

为提高绝缘体上硅材料(SOI)中的埋氧层(BOX)的抗总剂量辐射能力,采用离子注入方式,使用氮氟复合注入,对材料的BOX进行了离子注入改性.以改性的BOX制作多晶硅栅-BOX-半导体衬底(PBS)电容结构,采用Co-60γ射线,在0.7至1.7 Mrad(Si)剂量范围内,对PBS样品进行了辐照,并使用电容-电压(C-V)技术对样品的辐射效应进行了表征.实验发现,在恰当的工艺条件下,针对BOX的氮氟复合注入,可明显改善BOX的抗辐射能力,且BOX的辐射响应与注氮后的退火时间直接相关.同时,实验观察到随辐照剂量的增加,BOX的辐射响应出现了回弹及振荡现象.并依据实验结果,对其产生机制进行了分析讨论.

• 单位
  济南大学