Fe催化生长β-SiC纳米分支结构

作者：王秋实^*; 吴宛泽; 谢永辉; 王维龙

来源：真空科学与技术学报, 2018, 38(09): 786-790.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2018.09.08

• 纳米分支结构
• 等离子辅助
• 真空电弧
• β-SiC

采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。

• 单位
  渤海大学