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摘要
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法,测试MOS晶体管的失效时间数据,经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值,绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线,以其为拟合标准,获得Weibull分布模型下的概率密度函数拟合曲线和累积分布函数拟合曲线,判断函数拟合曲线和绘制得到的函数曲线的相对误差是否在预定值之内,记录Weibull分布模型中的模型参数,得到失效时间和模型参数的查表文件的模型库,得到Weibull分布下MOS晶体管的可靠性统计模型。
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单位上海集成电路研发中心有限公司; 华东师范大学
