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摘要
本发明公开了一种具有沟槽场限环结构的碳化硅器件及其制备方法.所述沟槽场限环结构的碳化硅器件包括漏电极、N型掺杂衬底层、N型外延层、P型离子注入区和P型基区,其中,P型基区上设置有P型源区和N型源区,N型外延层设置有多个沟槽结构；在N型外延层外围终端区域设置有数个P型场限环,这些场限环位于沟槽区域处。本发明相对于传统碳化硅场限环而言,可以有效的改善SiC功率器件结边缘电场集中现象,有效的提高了击穿电压与终端效率。同时可以有效缓解因外延层上表面SiO-2/SiC界面区域内的固定电荷对终端结构的影响。
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