CaBi2Ta2O9基压电陶瓷的A位掺杂改性研究

作者：钟建强; **; 石钰琳; 陈强^*

来源：压电与声光, 2019, 41(04): 504-508.

• 高居里温度
• CaBi2Ta2O9(CBT)
• 压电陶瓷
• 铋层状铁电体
• 电学性能

该文采用固相反应法制备了铋层状结构Ca1-x(LiCe)x/2Bi2Ta2O9(CBT-LC100x)高居里温度(TC)压电陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.5)2+复合离子掺杂对CaBi2Ta2O9(CBT)基陶瓷晶体结构、介电、压电等性质的影响。结果表明,在选定(Li0.5Ce0.5)2+掺杂浓度范围内,CBT-LC100x陶瓷呈正交晶体结构。随着x增加,TC趋于降低,从941℃降低至924℃。Ce离子的施主掺杂效应有利于电阻率及压电活性的提高,当x=0.06(x为摩尔分数)时,具有最优综合性能,TC约为924℃,压电常数d33约为8.1 pC/N, 650℃时电阻率为1.7×106Ω·cm。

• 单位
  四川大学